order_bg

Produktai

Nauji originalūs XC7K160T-1FBG676I inventoriaus taškinio IC lusto integriniai grandynai

Trumpas aprašymas:


Produkto detalė

Produkto etiketės

Produkto atributai

TIPAS APIBŪDINIMAS
Kategorija Integriniai grandynai (IC)

Įdėta

FPGA (lauko programuojamų vartų masyvas)

Mfr AMD Xilinx
Serija Kintex®-7
Paketas Padėklas
Produkto būsena Aktyvus
LAB/CLB skaičius 12675
Loginių elementų/ląstelių skaičius 162240
Iš viso RAM bitai 11980800
I/O skaičius 400
Įtampa – maitinimas 0,97 V ~ 1,03 V
Montavimo tipas Paviršinis montavimas
Darbinė temperatūra -40°C ~ 100°C (TJ)
Pakuotė / Dėklas 676-BBGA, FCBGA
Tiekėjo įrenginių paketas 676-FCBGA (27 × 27)
Bazinis gaminio numeris XC7K160

Pranešti apie produkto informacijos klaidą

Žiūrėti panašius

Dokumentai ir laikmena

IŠTEKLIŲ TIPAS LINK
Duomenų lapai Kintex-7 FPGA duomenų lapas

7 serijos FPGA apžvalga

Kintex-7 FPGA trumpas

Produktų mokymo moduliai Maitinimas 7 serijos Xilinx FPGA su TI energijos valdymo sprendimais
Informacija apie aplinką Xilinx RoHS sertifikatas

Xilinx REACH211 sertifikatas

Teminis produktas TE0741 serija su Xilinx Kintex®-7
PCN dizainas/specifikacija 2016 m. spalio 31 d. įspėjimas be švino

„Mult Dev Material“ keit. 2019 m. gruodžio 16 d

HTML duomenų lapas Kintex-7 FPGA trumpas

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacijos

ATTRIBUTAS APIBŪDINIMAS
RoHS būsena Suderinamas su ROHS3
Drėgmės jautrumo lygis (MSL) 4 (72 valandos)
REACH būsena REACH Neturi įtakos
ECCN 3A991D
HTSUS 8542.39.0001

Integrinis grandynas

Integrinis grandynas arba monolitinis integrinis grandynas (taip pat vadinamas IC, lustu arba mikroschema) yra rinkinyselektroninės grandinėsant vieno mažo plokščio gabalėlio (arba „lusto“).puslaidininkismedžiaga, paprastaisilicio.Dideli skaičiaiiš mažyčiųMOSFET(metalas-oksidas-puslaidininkislauko tranzistoriai) integruoti į mažą lustą.Dėl to grandinės yra daug mažesnės, greitesnės ir pigesnės nei sukonstruotos iš atskirųElektroniniai komponentai.ICmasinė produkcijapajėgumų, patikimumo ir konstrukcinio požiūriointegrinių grandynų projektavimasužtikrino greitą standartizuotų IC pritaikymą vietoj dizaino naudojant diskretiškątranzistoriai.IC dabar naudojami beveik visoje elektroninėje įrangoje ir padarė revoliuciją pasaulyjeelektronika.Kompiuteriai,Mobilieji telefonaiir kitaBuitinė technikadabar yra neatsiejama šiuolaikinių visuomenių struktūros dalis, kurią įgalina mažo dydžio ir mažos IC, pavyzdžiui, modernios, kainos.kompiuterių procesoriaiirmikrovaldikliai.

Labai didelio masto integracijabuvo praktiška dėl technologijų pažangosmetalas-oksidas-silicis(MOS)puslaidininkinių įtaisų gamyba.Nuo tada, kai atsirado septintajame dešimtmetyje, lustų dydis, greitis ir talpa labai pagerėjo dėl technikos pažangos, kuri vis daugiau ir daugiau MOS tranzistorių sutalpina ant tokio paties dydžio lustų – šiuolaikiniame luste gali būti daug milijardų MOS tranzistorių. žmogaus nago dydžio plotas.Šie pažanga, maždaug taipMoore'o dėsnis, šiandienos kompiuterių lustai turi milijonus kartų didesnį pajėgumą ir tūkstančius kartų didesnį greitį nei aštuntojo dešimtmečio pradžios kompiuterių lustai.

IC turi du pagrindinius pranašumusdiskrečios grandinės: kaina ir našumas.Kaina yra maža, nes lustai su visais jų komponentais yra spausdinami kaip vienetasfotolitografijao ne konstruojamas vienas tranzistorius vienu metu.Be to, supakuoti IC naudoja daug mažiau medžiagų nei atskiros grandinės.Našumas yra didelis, nes IC komponentai greitai persijungia ir sunaudoja palyginti mažai energijos dėl mažo dydžio ir artumo.Pagrindinis IC trūkumas yra didelė jų projektavimo ir reikalingo pagaminimo kainafotokaukės.Šios didelės pradinės išlaidos reiškia, kad IC yra komerciškai perspektyvios tik tada, kaididelės gamybos apimtysyra numatomi.

terminija[Redaguoti]

Anintegrinis grandynasapibrėžiamas kaip:[1]

Grandinė, kurioje visi arba kai kurie grandinės elementai yra neatskiriamai sujungti ir elektra sujungti taip, kad statybos ir prekybos tikslais ji laikoma nedaloma.

Šį apibrėžimą atitinkančios grandinės gali būti sukonstruotos naudojant daugybę skirtingų technologijų, įskaitantplonasluoksniai tranzistoriai,storosios plėvelės technologijos, arbahibridiniai integriniai grandynai.Tačiau bendrai naudojantintegrinis grandynaspradėjo vadinti vientisos grandinės konstrukciją, iš pradžių žinomą kaip amonolitinis integrinis grandynas, dažnai pastatytas ant vieno silicio gabalo.[2][3]

Istorija

Ankstyvas bandymas sujungti kelis komponentus viename įrenginyje (kaip šiuolaikiniai IC) buvoLoewe 3NFvakuuminis vamzdis nuo 1920 m.Skirtingai nuo IC, jis buvo sukurtas siekiantmokesčių vengimas, kaip ir Vokietijoje, radijo imtuvai turėjo mokestį, kuris buvo renkamas priklausomai nuo to, kiek radijo imtuve buvo vamzdžių laikiklių.Tai leido radijo imtuvams turėti vieno vamzdžio laikiklį.

Ankstyvosios integrinių grandynų koncepcijos siekia 1949 m., kai vokiečių inžinieriusVerneris Jacobi[4](Siemens AG)[5]pateikė patentą į integruotą grandinę panašiam puslaidininkiniam stiprintuvui[6]rodantis penkistranzistoriaiant bendro pagrindo trijų pakopųstiprintuvasišdėstymas.Jacobi atskleidė mažas ir pigusklausos aparataikaip tipiškas jo patento pramoninis pritaikymas.Nebuvo pranešta apie jo patento tiesioginį komercinį panaudojimą.

Kitas ankstyvas šios koncepcijos šalininkas buvoDžofris Dummeris(1909–2002), radarų mokslininkas, dirbantisKarališkoji radarų įstaigabritųGynybos ministerija.Dummeris pristatė idėją visuomenei kokybiškų elektroninių komponentų pažangos simpoziumeVašingtonas1952 metų gegužės 7 dieną.[7]Jis surengė daugybę simpoziumų viešai propaguodamas savo idėjas ir nesėkmingai bandė sukurti tokią grandinę 1956 m. 1953–1957 m.Sidnėjus Darlingtonasir Yasuo Tarui (Elektrotechnikos laboratorija) pasiūlė panašų lustų dizainą, kai keli tranzistoriai galėtų turėti bendrą aktyvią sritį, tačiau nebuvoelektros izoliacijaatskirti juos vienas nuo kito.[4]

Monolitinės integrinės grandinės lustą įgalino išradimaiplokštuminis procesaspateikėŽanas Hoernisirp–n sandūros izoliacijapateikėKurtas Lehovecas.Hoerni išradimas buvo pagrįstasMohamedas M. AtallaPaviršiaus pasyvavimo darbai, taip pat Fullerio ir Ditzenbergerio darbai apie boro ir fosforo priemaišų difuziją į silicį,Carlas Froschasir Linkolno Dericko darbai paviršiaus apsaugos srityje irChih-Tang SahDarbas su difuziniu maskavimu oksidu.[8]


  • Ankstesnis:
  • Kitas:

  • Parašykite savo žinutę čia ir atsiųskite mums