( Elektroninių komponentų IC lustai integriniai grandynai IC ) XC7A75T-2FGG676I

( Elektroninių komponentų IC lustų integrinių grandynų IC ) XC7A75T-2FGG676I Teminis vaizdas

Trumpas aprašymas:

Atsiųskite mums el Atsisiųskite datų lapą

Produkto detalė

Produkto etiketės

Produkto atributai

TIPAS	APIBŪDINIMAS
Kategorija	Integriniai grandynai (IC) Įdėta FPGA (lauko programuojamų vartų masyvas)
Mfr	AMD Xilinx
Serija	Artix-7
Paketas	Padėklas
Produkto būsena	Aktyvus
LAB/CLB skaičius	5900
Loginių elementų/ląstelių skaičius	75520
Iš viso RAM bitai	3870720
I/O skaičius	300
Įtampa – maitinimas	0,95 V ~ 1,05 V
Montavimo tipas	Paviršinis montavimas
Darbinė temperatūra	-40°C ~ 100°C (TJ)
Pakuotė / Dėklas	676-BGA
Tiekėjo įrenginių paketas	676-FBGA (27 × 27)
Bazinis gaminio numeris	XC7A75

Pranešti apie produkto informacijos klaidą

Žiūrėti panašius

Dokumentai ir laikmena

IŠTEKLIŲ TIPAS	LINK
Duomenų lapai	Artix-7 FPGA duomenų lapas Artix-7 FPGA trumpas 7 serijos FPGA apžvalga
Informacija apie aplinką	Xilinx REACH211 sertifikatas Xilinx RoHS sertifikatas
Teminis produktas	USB104 A7 Artix-7 FPGA kūrimo plokštė
EDA modeliai	„Ultra Librarian“ XC7A75T-2FGG676I

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacijos

ATTRIBUTAS	APIBŪDINIMAS
RoHS būsena	Suderinamas su ROHS3
Drėgmės jautrumo lygis (MSL)	3 (168 valandos)
REACH būsena	REACH Neturi įtakos
ECCN	3A991D
HTSUS	8542.39.0001

Integrinis grandynas

Integrinis grandynas arba monolitinis integrinis grandynas (taip pat vadinamas IC, lustu arba mikroschema) yra rinkinyselektroninės grandinėsant vieno mažo plokščio gabalėlio (arba „lusto“).puslaidininkismedžiaga, paprastaisilicio.Dideli skaičiaiiš mažyčiųMOSFET(metalas-oksidas-puslaidininkislauko tranzistoriai) integruoti į mažą lustą.Dėl to grandinės yra daug mažesnės, greitesnės ir pigesnės nei sukonstruotos iš atskirųElektroniniai komponentai.ICmasinė produkcijapajėgumų, patikimumo ir konstrukcinio požiūriointegrinių grandynų projektavimasužtikrino greitą standartizuotų IC pritaikymą vietoj dizaino naudojant diskretiškątranzistoriai.IC dabar naudojami beveik visoje elektroninėje įrangoje ir padarė revoliuciją pasaulyjeelektronika.Kompiuteriai,Mobilieji telefonaiir kitaBuitinė technikadabar yra neatsiejama šiuolaikinių visuomenių struktūros dalis, kurią įgalina mažo dydžio ir mažos IC, pavyzdžiui, modernios, kainos.kompiuterių procesoriaiirmikrovaldikliai.

Labai didelio masto integracijabuvo praktiška dėl technologijų pažangosmetalas-oksidas-silicis(MOS)puslaidininkinių įtaisų gamyba.Nuo tada, kai atsirado septintajame dešimtmetyje, lustų dydis, greitis ir talpa labai pagerėjo dėl technikos pažangos, kuri vis daugiau ir daugiau MOS tranzistorių sutalpina ant tokio paties dydžio lustų – šiuolaikiniame luste gali būti daug milijardų MOS tranzistorių. žmogaus nago dydžio plotas.Šie pažanga, maždaug taipMoore'o dėsnis, šiandienos kompiuterių lustai turi milijonus kartų didesnį pajėgumą ir tūkstančius kartų didesnį greitį nei aštuntojo dešimtmečio pradžios kompiuterių lustai.

IC turi du pagrindinius pranašumusdiskrečios grandinės: kaina ir našumas.Kaina yra maža, nes lustai su visais jų komponentais yra spausdinami kaip vienetasfotolitografijao ne konstruojamas vienas tranzistorius vienu metu.Be to, supakuoti IC naudoja daug mažiau medžiagų nei atskiros grandinės.Našumas yra didelis, nes IC komponentai greitai persijungia ir sunaudoja palyginti mažai energijos dėl mažo dydžio ir artumo.Pagrindinis IC trūkumas yra didelė jų projektavimo ir reikalingo pagaminimo kainafotokaukės.Šios didelės pradinės išlaidos reiškia, kad IC yra komerciškai perspektyvios tik tada, kaididelės gamybos apimtysyra numatomi.

terminija[Redaguoti]

Anintegrinis grandynasapibrėžiamas kaip:^[1]

Grandinė, kurioje visi arba kai kurie grandinės elementai yra neatskiriamai sujungti ir elektra sujungti taip, kad statybos ir prekybos tikslais ji laikoma nedaloma.

Šį apibrėžimą atitinkančios grandinės gali būti sukonstruotos naudojant daugybę skirtingų technologijų, įskaitantplonasluoksniai tranzistoriai,storosios plėvelės technologijos, arbahibridiniai integriniai grandynai.Tačiau bendrai naudojantintegrinis grandynaspradėjo vadinti vientisos grandinės konstrukciją, iš pradžių žinomą kaip amonolitinis integrinis grandynas, dažnai pastatytas ant vieno silicio gabalo.^[2]^[3]

Istorija

Ankstyvas bandymas sujungti kelis komponentus viename įrenginyje (kaip šiuolaikiniai IC) buvoLoewe 3NFvakuuminis vamzdis nuo 1920 m.Skirtingai nuo IC, jis buvo sukurtas siekiantmokesčių vengimas, kaip ir Vokietijoje, radijo imtuvai turėjo mokestį, kuris buvo renkamas priklausomai nuo to, kiek radijo imtuve buvo vamzdžių laikiklių.Tai leido radijo imtuvams turėti vieno vamzdžio laikiklį.

Ankstyvosios integrinių grandynų koncepcijos siekia 1949 m., kai vokiečių inžinieriusVerneris Jacobi ^[4](Siemens AG)^[5]pateikė patentą į integruotą grandinę panašiam puslaidininkiniam stiprintuvui^[6]rodantis penkistranzistoriaiant bendro pagrindo trijų pakopųstiprintuvasišdėstymas.Jacobi atskleidė mažas ir pigusklausos aparataikaip tipiškas jo patento pramoninis pritaikymas.Nebuvo pranešta apie jo patento tiesioginį komercinį panaudojimą.

Kitas ankstyvas šios koncepcijos šalininkas buvoDžofris Dummeris(1909–2002), radarų mokslininkas, dirbantisKarališkoji radarų įstaigabritųGynybos ministerija.Dummeris pristatė idėją visuomenei kokybiškų elektroninių komponentų pažangos simpoziumeVašingtonas1952 metų gegužės 7 dieną.^[7]Jis surengė daugybę simpoziumų viešai propaguodamas savo idėjas ir nesėkmingai bandė sukurti tokią grandinę 1956 m. 1953–1957 m.Sidnėjus Darlingtonasir Yasuo Tarui (Elektrotechnikos laboratorija) pasiūlė panašų lustų dizainą, kai keli tranzistoriai galėtų turėti bendrą aktyvią sritį, tačiau nebuvoelektros izoliacijaatskirti juos vienas nuo kito.^[4]

Monolitinės integrinės grandinės lustą įgalino išradimaiplokštuminis procesaspateikėŽanas Hoernisirp–n sandūros izoliacijapateikėKurtas Lehovecas.Hoerni išradimas buvo pagrįstasMohamedas M. AtallaPaviršiaus pasyvavimo darbai, taip pat Fullerio ir Ditzenbergerio darbai apie boro ir fosforo priemaišų difuziją į silicį,Carlas Froschasir Linkolno Dericko darbai paviršiaus apsaugos srityje irChih-Tang SahDarbas su difuziniu maskavimu oksidu.^[8]